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[問題] 關於緩衝層
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[問題] 關於緩衝層
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作者
narutoo
(RORO)
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15年前
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(2009/07/08 00:48)
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請問一下. 像氮化鎵低溫緩衝層的作用機制和原理是什麼. 實在找不到有關其原理的相關資料~~. 謝謝. --.
※
發信站:
批踢踢實業坊(ptt.cc)
. ◆ From: 125.225.32.223.
※
編輯:
narutoo
來自:
125.225.32.223
(07/08
00:50)
.
#2
Re: [問題] 關於緩衝層
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作者
chenyppl
(瞎養達人)
時間
15年前
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(2009/07/11 13:34)
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GaN 直接成長在sapphire上時. 因為晶格常數差異過大,所以不容易長的好. 先成長一層低溫GaN,. 因為晶格常數 ,熱膨脹係數剛好都可以藉於兩者之間,. 所以可以減緩因晶格常數及材料差異所造成的晶格缺陷. 其實Buffer layer 在thin film領域是一個很常見的手法. 在CVD
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