[請益] 晶圓製程
請問
晶圓製程的前段
有一段流程是:
晶圓和光罩對正→微影→蝕刻→氧化→擴散→CVD→離子植入→濺鍍(Sputtering)
<--------重複做4~5次--------------->
因為我看的資料和書 有點差異 不知道正確的程序是怎樣
我上面的流程哪裡有出錯嗎??
有的書是"擴散"到"離子植入"是重複做
有的資料是從一開始"光罩對正"到"離子植入"重複做
能否請教正確步驟是如何??
還有 請問"矽磊晶成長(epitaxial growth)"就是長"磊晶膜(epitaxial layer)"
是用在哪一步驟??
謝謝
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◆ From: 220.142.155.92
推
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