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討論串[問題] 請問離子佈植
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[問題] 請問離子佈植
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者yammy1201 (@^_____^@N)時間18年前 (2006/12/18 22:37), 編輯資訊
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請問一下為什麼離子佈植的深度總是較預期的要深?. 謝謝!..^^. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 59.113.65.184.
#2
Re: [問題] 請問離子佈植
推噓1(1推 0噓 1→)留言2則，0人參與, 最新作者Rigid (陽光下的奇蹟)時間18年前 (2006/12/19 01:23), 編輯資訊
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主要有兩種原因. 若是要形成shallow junction的話. 往往佈植的能量都相當低. 但是因為Si的晶格有某些方向看過去是沒有甚麼阻礙的. 看起來就像是有一個channel一般. 所以會使佈植的深度比預期的深. 也就是所謂的channel effect. 改善的方式是利用將Si wafer傾
(還有235個字)
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