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討論串[問題] layout的N-well & P-well相關問題
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[問題] layout的N-well & P-well相關問題
推噓3(3推 0噓 2→)留言5則，0人參與, 最新作者niceguy (niceguy)時間17年前 (2007/10/01 17:12), 編輯資訊
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大家好!!!. 小弟有些關於layout時P-well與N-well的問題想跟大家請教一下. 雖然之前有問過了 但還是希望能讓自己觀念的清楚一些!!. ====================================================. LATI. 2 {@ N-well PI
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Re: [問題] layout的N-well & P-well相關問題
推噓0(0推 0噓 1→)留言1則，0人參與, 最新作者Edog (伊狗)時間17年前 (2007/10/02 01:18), 編輯資訊
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根據強者我學長那天教我的大意是. 一個NMOS的body要接地(TSMC35製程預設的sub應該是p-type). 而那個接地點跟離NMOS的距離不能超過20um. "接地點"就如同你所說的,由於基板是p-type要連到metal線,進而由metal接到PAD. 基板與metal的交點,為了歐姆接觸
(還有341個字)
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