[新聞] 20nm製程 三星使手機記憶體容量更大消失
【聯合新聞網/記者楊又肇/報導】
先期預告進行量產20nm製程DDR4記憶體模組後,三星宣布著手研發業界首款20nm製程設計
的8Gb LPDDR4行動記憶體模組 (Mobile DRAM),預計將可提供高階智慧型手機、平板機種
使用4GB記憶體容量,並且提供比現有LPDDR3記憶模組高出50%效能,以及減少40%電耗表
現。
三星宣布將著手研發業界首款20nm製程設計的8Gb LPDDR4行動記憶體模組,將比現有
LPDDR3記憶模組高出50%效能,以及減少40%電耗表現,約以1.1V電壓即可驅動使用。新款
LPDDR4記憶估計將可對應4GB記憶體容量,配合64位元處理器定址能力,將能讓高階智慧
型手機、平板裝置使用更多記憶體空間。
目前三星預計將在2014年公佈自行設計的64位元處理器,配合新款LPDDR4行動記憶體模組
,除可用於自家新款旗艦機Galaxy S 5,估計也將提供包含蘋果、LG等一線廠商新款裝置
使用。
而配合明年準備成為高階行動裝置主流使用的64位元處理器,估計將會有更多裝置跨入
3GB以上記憶體容量設計規格。
http://mag.udn.com/mag/digital/storypage.jsp?f_ART_ID=492208#ixzz2oy7VdhNU
心得:在64bit的處理器逐漸登場之後,
更大的Ram就更有其需要會出現了,
手機處理器越強,廠商會做出拿來塞的功能會越來越多,
不過令人更感興趣的是,旗艦機一旦衝上4GBram
那麼如小米之類的陸廠旗艦新星們不知何時會追上去,
這樣子4GBram手機應該也能在那時迅速在萬元價位普及化XD
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