[問題]鍍SiO2問題

看板NEMS作者 (明天晴天)時間12年前 (2012/02/13 12:37), 編輯推噓2(2推 0噓 3→)
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各位版友好 小弟目前實驗所需要將SiO2鍍在石英wafer(wafer上有鋁電極)至少5um以上， 日前有問過學校的奈米中心方面，他們的反應是sputter、E-beam 鍍膜速度慢，而PECVD速度較快許多，不過規定PECVD不能使用有鍍上金屬 的wafer，因為怕汙染腔體, 但最重要的是這三種機台都無法鍍到5um以上的 厚度。 所以想請問有做過SiO2濺鍍的版友們，請問有沒有那裡的機台可以鍍 SiO2高於5um的厚度，且不受wafer上是否鍍有金屬的限制。 謝謝各位~ -- -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.112.38.83
推
02/14 04:05, , 1F
要弄這麼厚可能要考慮用像spin on glass的東西
02/14 04:05, 1F
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02/14 17:51, , 2F
我看過有人用E-Gun鍍.... 但是不知道品質好不好...
02/14 17:51, 2F
推
02/15 09:51, , 3F
南科NDL可以進金屬 但不知道可不可以這麼厚
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PECVD
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02/15 13:56, , 5F
謝謝各位
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