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討論串[問題] Oxygen RIE 蝕刻光阻
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#1
[問題] Oxygen RIE 蝕刻光阻
推噓4(4推 0噓 8→)留言12則，0人參與, 最新作者areckin (女王萬歲)時間13年前 (2011/04/09 16:32), 編輯資訊
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請問在使用O2 RIE蝕刻擁有grating結構的光阻時. 要如何選擇氣體流量(快慢)、工作壓力(高低)、蝕刻時間(長短). 才不會蝕刻完結構有明顯的改變?. 我蝕刻的主要目的是要把凹進去的殘餘光阻吃掉. 好讓silicon露出來. --- ---- ----. |--| |--|. photore
#2
Re: [問題] Oxygen RIE 蝕刻光阻
推噓2(2推 0噓 3→)留言5則，0人參與, 最新作者SkyLark2001 ( )時間13年前 (2011/04/11 14:44), 編輯資訊
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要看殘餘光阻的話去SEM照切面吧~. 另外，RIE oxygen plasma清光阻(descum)的側向蝕刻不會太誇張，. 所以你文獻找一個看得順眼的RIE descum參數，吃不乾淨的話吃久一點不就好了?. 一分鐘不行就兩分鐘，兩分鐘不行就三分鐘，總會吃的乾淨的(不過我建議以30s當間距). 另
(還有56個字)
#3
Re: [問題] Oxygen RIE 蝕刻光阻
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者toptom (活老百姓)時間13年前 (2011/09/28 09:49), 編輯資訊
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一般光阻要測蝕的話需用添加一些CF4這樣會比較快. 其配比1000/10. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 140.96.130.97.
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