[問題]GaN材料問題

看板Physics作者carman (距離的美感)時間14年前 (2010/02/20 09:39)推噓4(4推 0噓 3→)

留言7則, 5人參與討論串1/1

前幾天上課時,聽老師說一般在GaAs基板上上defect 量在10^2 (cm^-2) 可宣稱是defect free,但在GaN基板上defect 量在10^6 (cm^-2) 就可宣稱是defect free 不過我印象中文獻上已有在GaN相關材料上做出可見光的雷射和VCSEL 請問在材料上的選擇或設計上有何特別的地方呢? 就是如何降低或阻擋這些defect的延伸? 謝謝! ps.會有醬的疑問是,我有看過文獻也有人嘗試把GaAs長在silicon的基板上即使做了許多處理defect density的量還是在10的6-7的次方所以只有極少數上的人做出雷射...且特性都不佳或生命期也很短所以想了解在GaN上是怎麼做到的?謝謝! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 68.42.78.250

→

yeahbo

02/20 10:52, , 1^F

02/20 10:52, 1^F

→

yeahbo

02/20 10:52, , 2^F

02/20 10:52, 2^F

推

huges0111

02/20 12:08, , 3^F

02/20 12:08, 3^F