[測試] P4 661 D0製程測試

看板hardware作者oijkue ( )時間18年前 (2006/08/10 01:57)推噓9(9推 0噓 2→)

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前言: intel在今年的6月發佈了cedarmill以及presler核心將由C1製程改為更先進的D0製程這個消息當時宣佈的時候,市面上連C1製程的產品都還未見到因此改D0製程這件事情,有注意的人並不多相關新聞連結: http://www.hkepc.com/bbs/news.php?tid=617900 http://www.hkepc.com/bbs/news.php?tid=617807 http://intel.pcnalert.com/content/eolpcn/PCN106404-00.pdf 主要的特徵大略就是把單核心的TDP由86W降低到65W 雙核心全線的TDP都降為95W,以及修正一些cpu中已知的bug 依照上面intel的官方文件內容,D0製程工程版的釋出日期是7/17日我這次有幸在第一時間就入手.為何拖到今天才寫報告,後面會在說明 cpu概觀: 我這次入手的是P4 661 3.6G這顆CPU D0製程你拿在手上最明顯的特徵就是intel的標誌已經是06了目前上市的conroe或是6系列的C1製程都還在05 另外就是底部電容電阻排列的方式也和之前C1製程明顯不同,反而有點像90nm的P4 cpu正面照片,生產週期是06年17周 http://219.84.132.86/ftproot/060404/661/0358.jpg

cpu底部照片 (左:651 C1 右:661 D0) http://219.84.132.86/ftproot/060404/661/0361.jpg

cpu底部照片 (左:661 D0 右:賽揚336 E0) http://219.84.132.86/ftproot/060404/661/0381.jpg

測試器材: 主機板:ASUS P5LD2 v1.02 記憶體:創見DDR2-667 512Mx2 顯示卡:NV Quadro NVS280 PCI-E HDD:日立80G 2M IDE POWER:全漢藍色350W 散熱裝置:intel盒裝原廠風扇,5000RPM小風扇吹北橋散熱片 UPS:台達500VA 1.超頻性質測試: 若新製程的CPU一出來,最先令人期待的一定就是超頻性測試了在原廠風扇的散熱狀態之下,我手上這顆C1製程的P4 651可以設4.9G開機這顆D0的661一放下去,同樣是預設電壓4.9G,結果卻是不開機觀察BIOS中的電壓選項,651 C1最低可以調到1.15V 不過這顆661 D0最低只到1.225V C1在1.15V的狀況之下可以4.5G開機, D0在1.225V的電壓也終於可以4.5G進BIOS 如果以某論壇的標準來說,這顆cpu確實是烙x,可以丟到一旁不用測了不過D0製程真的一無是處嗎?? 因此我必須還要測下去才了解這個新製程的特色 2.耗電量以及核心溫度測試: CPU:P4 651 3.4G C1製程 (TDP:86W/預設電壓=1.3V) 測試時室溫=26度 P4 661 3.6G D0製程 (TDP:65W/預設電壓=1.35V) 測試時室溫=33度為了更方便比較,我把661的倍頻設在17倍,和651一樣以3.4G運作 D0製程比較不同的地方是,BIOS設AUTO直接抓到的預設電壓是1.35V 高於C1製程的1.30V 預設時脈/電壓測試核心溫度系統耗電量 P4 651-C1 P4 661-D0 P4 651-C1 P4 661-D0 CPU idle 42c 43c 108w 87w CPU idle EIST 36c 39c 93w 78w SP2004 x1 55c 57c 153w 129w SP2004 x2 58c 58c 159w 132w 預設值就溫度來講,雙方好像差距不大不過兩者的室溫差了7度之多,661-D0的核心溫度確實是大降了就系統耗電量來看更為明顯預設時脈/最低電壓測試 (651=1.2v 661=1.23v) 核心溫度系統耗電量 P4 651-C1 P4 661-D0 P4 651-C1 P4 661-D0 CPU idle EIST 35c 39c 87w 78w SP2004 x1 47c 52c 129w 114w SP2004 x2 51c 54c 135w 120w 超頻/最低電壓測試 (651=1.2v@4.43G 661=1.23v@4.17G) 核心溫度系統耗電量 P4 651-C1 P4 661-D0 P4 651-C1 P4 661-D0 CPU idle 40c 41c 96w 81w SP2004 x1 55c 54c 147w 126w SP2004 x2 57c 58c 153w 129w 我們也可以發現到661-D0降壓超頻的平衡點大約在1.23v 4.2G左右以這個設定下去運作的話,耗電量將會和預設值差不多既然D0製程的耗電量表現這麼優異,那麼超頻性是真的不佳嗎?? 我們可以看到系統耗電量在153w左右,可以讓C1製程工作在4.43G的時脈如果這153w的標準拿給D0製程來用,頻率還會比4.43G還高嗎?? 因此我在預設電壓1.35v跑4.5G的設定給D0製程,並做了測試超頻/適當電壓測試 (651=1.2v@4.43G 661=1.35v@4.5G) 核心溫度系統耗電量 P4 651-C1 P4 661-D0 P4 651-C1 P4 661-D0 CPU idle 40c 43c 96w 84w SP2004 x1 55c 61c 147w 144w SP2004 x2 57c 62c 153w 150w 我們可以輕易的發現,D0製程在超頻上雖然電壓的數字比較醜不過以相同耗電量以及頻率的標準來看,C1和D0的超頻性其實是差不多的超頻5GHz測試 (651=1.4v 661=1.55v) 核心溫度系統耗電量 P4 651-C1 P4 661-D0 P4 651-C1 P4 661-D0 CPU idle 58c 55c 156w 132w SP2004 x1 82c* 78c 225w* 201w SP2004 x2 81c* 80c* 231w* N/A* *=CPU核心溫度在80度以上已啟動自動降速功能(TM2 Throotle),此數值僅供參考雖然D0製程超上5GHz需要1.55v的電壓才行,遠高於C1製程的1.4V 不過耗電量卻令人意外的,還是低於C1製程的1.4v@5GHz 總結: D0製程是intel拿超頻性換取低耗電量的一個實例 intel在轉換到65nm製程以後,絕對有能力在合理範圍做出4GHz的單核cpu 從C1製程單核心在最低1.15v的電壓,就可以24*7穩定工作於4.2G的時脈這個情況就可以很明顯的看出來的確如此在之前的測試中有提到,intel雙核心是增加cpu底部的電阻以得到較低的電流從C1-->D0這麼大的功耗改變,我相信intel也把這個方法用在單核心的身上從文初的cpu底部照片就可略知一二,C1和D0的底部有非常大的不同也只有這個方法,能在短時間內有效的降低耗電量與發熱量而犧牲一點在"相同電壓"之下的超頻性從另外一點分析,netbrust架構就是同時脈下效能不佳,並且核心的溫度高 intel目前如果做出4.0G 或是4.2G的單核心去增加那幾百MHz所得到的效能相當有限,意義不大不如就犧牲一點時脈來降低耗電量吧,也讓65nm高的核心溫度有更直接的改善這點對於一般用戶來講也是一個好消息 65nm D0製程的核心溫度已經降到和90nm E0製程差不多唯一不同的地方就是更小的die size,也因為這個因素能讓TDP壓在65w左右根據這十幾天的燒機使用結果與心得, 就D0製程整體發熱量來講,我覺得有和K8單核比拼的可能性在標準狀態下的核心溫度雖然比K8高出了7度~10度左右不過die size卻只有81mm2,明顯低於AM2單核的103mm2 總和起來,這兩者的發熱量已經是差不多了唯一可惜的就是,這顆低發熱量cpu的出現時機太晚了如果intel早半年做出來,65nm製程所帶來的優勢可以再更明顯全部測試圖: http://219.84.132.86/ftproot/060404/661/ 這顆cpu入手日期是在7/20,不過賣家告訴我因為時機還敏感要寫公開測試報告的話必須在8/10以後才能發表,也因此遲了一點時間 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 219.84.132.86

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Haiker

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APC

08/10 04:32, , 2^F

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※ 編輯: oijkue 來自: 219.84.132.86 (08/10 04:45)

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pykoir

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