Re: [問題] 對半導體做快速退火的動作
※ 引述《hydrasmith31 (或許死亡才是最好的解脫)》之銘言：
: ※ 引述《newwork (死了都要愛)》之銘言：
: : 請問
: : 若把一塊poly或amorphous的半導體
: : 四周用amorphous的insulator包起來
: : 然後利用快速退火爐 以每秒升溫100度 把溫度升到半導體的熔點以上10度
: : 溫度維持個兩秒 然後就急速降溫 大概是每秒50度
: : 這樣子處理後的半導體 晶格狀態會是如何呢??
: : 我覺得應該會是amorphous
: : 因為半導體週遭的insulator的晶格大小和半導體的差太多
: : 熔融狀態下的半導體沒有可以seeding的地方 只能自己做排列
: : 而時間又不夠 一般做熱處理都要好幾個小時
: : 只有兩秒鐘 才剛熔融的半導體還來不及去重整晶格 就被降溫了
: : 所以應該是amorphous
: : 請問這樣子的想法是正確的嗎?
: : 謝謝!!
: 答案是
: 會破裂
: 除非你用微波共振腔處理
: 或者用電漿處理表面
: 否則那麼快的溫度之下
: 一般的退火爐都會使樣本破裂
你好
請問微波共振腔 和電漿處理表面
是指在退火的過程中 一起執行嗎?
謝謝!!
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◆ From: 140.112.231.112
推
01/04 07:07, , 1F
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