[問題] metal-semiconductio junction

看板Electronics作者 (徵說英文的同伴)時間17年前 (2007/01/11 09:24), 編輯推噓1(103)
留言4則, 1人參與, 最新討論串1/2 (看更多)
schottky barrier 與 ohmic contact 若對於 金屬的功函數 > n-type半導體的功函數 或 金屬的功函數 < p-type1半導體的功函數 則為schottky barrier 反之若 金屬的功函數 > p-type半導體的功函數 或 金屬的功函數 < n-type半導體的功函數 則為 ohmic contact 對於大於或小於 跟 p-type或 n-type的對應關係 死背的很辛苦 有什麼方式或原理是我疏忽掉了嗎 可否指點解惑? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 210.69.124.39 ※ 編輯: armoni 來自: 210.69.124.39 (01/11 09:25) ※ 編輯: armoni 來自: 210.69.124.39 (01/11 09:26)

01/11 10:38, , 1F
其實可以由兩者的定義來想像,Schottky barrier是一種接面
01/11 10:38, 1F

01/11 10:40, , 2F
能障,能障隨reverse bias升高而升高,Ohmic contact則是
01/11 10:40, 2F

01/11 10:41, , 3F
一種線性接面,當bias reverse時原件仍會產生一線性逆向偏
01/11 10:41, 3F

01/11 10:42, , 4F
壓電流,所以以此想像大致就可以描繪出位勢圖
01/11 10:42, 4F
文章代碼(AID): #15fP7Ywb (Electronics)
文章代碼(AID): #15fP7Ywb (Electronics)