Re: [問題] metal-semiconductio junction
你可以從參雜濃度下去想會比較容易
假設參雜濃度高,則depletion region的寬度很窄,
進而barrier的寬度也很窄,而電子可以很容易的tunneling
(depletion region widt正比於barreir width)
此時為ohmic contact
反之為Schottky contact
這樣就不必再記誰的功函數要大於誰了
另外,掌握Fermi-level與Band Bending的技巧也應該會對你有幫助
只要把圖畫出來,這樣就很容易明白了
※ 引述《armoni (徵說英文的同伴)》之銘言：
: schottky barrier 與 ohmic contact
: 若對於 金屬的功函數 > n-type半導體的功函數
: 或 金屬的功函數 < p-type1半導體的功函數
: 則為schottky barrier
: 反之若 金屬的功函數 > p-type半導體的功函數
: 或 金屬的功函數 < n-type半導體的功函數
: 則為 ohmic contact
: 對於大於或小於 跟 p-type或 n-type的對應關係 死背的很辛苦
: 有什麼方式或原理是我疏忽掉了嗎
: 可否指點解惑?
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◆ From: 163.22.18.90
※ 編輯: rummel 來自: 163.22.18.90 (01/11 13:53)
推
01/11 14:15, , 1F
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