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作者 SkyLark2001 在 PTT [ NEMS ] 看板的留言(推文), 共333則

限定看板：NEMS

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[問題] SU-8 50 內縮

[ NEMS ]3 留言, 推噓總分: +1

作者: nasa01 - 發表於 2014/05/20 18:31(10年前)

1^F推SkyLark2001:我之前遇過，不清楚導致原因，同一匹處理方式一樣的05/21 16:21

2^F→SkyLark2001:wafer有些會發生有些不會，所以只能憑運氣幸好我發05/21 16:21

3^F→SkyLark2001:生的機率不大，遇到後洗掉重塗也就勉強過得去了05/21 16:22

Re: [問題] 關於RIE側壁不夠垂直

[ NEMS ]11 留言, 推噓總分: +2

作者: SkyLark2001 - 發表於 2014/04/11 07:44(10年前)

4^F→SkyLark2001:en.wikipedia.org/wiki/Deep_reactive-ion_etching04/23 13:49

5^F→SkyLark2001:裡面提到表面的mask (應該是指光阻)會crack, 以及04/23 13:51

6^F→SkyLark2001:低溫會造成生成物在表面沉積。另外也有一些其他比較04/23 13:52

7^F→SkyLark2001:http://www.azonano.com/article.aspx?ArticleID=295104/23 13:55

8^F→SkyLark2001:看來oxford Instruments做不少cryo process的研究04/23 13:55

9^F→SkyLark2001:兩者相較之下，cryo優勢在小線寬，因為Bosch process04/23 13:56

10^F→SkyLark2001:在線寬太小時蝕刻速率大幅下降04/23 13:56

[問題] plasma 接合PDMS的問題

[ NEMS ]3 留言, 推噓總分: +1

作者: poiuyao - 發表於 2014/03/23 16:04(10年前)

1^F推SkyLark2001:所以你要做的是PDMS用Plasma接合的原理，然後去明白03/25 07:16

2^F→SkyLark2001:asher的原理跟氣體是否跟cleanser一樣，這樣做學問03/25 07:17

3^F→SkyLark2001:不就有意思多了嗎?03/25 07:17

[問題] 關於RIE側壁不夠垂直

[ NEMS ]2 留言, 推噓總分: +2

作者: uehara19k - 發表於 2014/03/03 23:53(10年前)

2^F推SkyLark2001:改用sputtering etch就可以了03/06 04:54

[問題] TiO2蝕刻問題

[ NEMS ]2 留言, 推噓總分: 0

作者: bibbytoto - 發表於 2014/02/18 19:34(10年前)

1^F→SkyLark2001:TiO2 dry/wet etching都有人做，各有優缺點，看02/19 06:08

2^F→SkyLark2001:你怎樣取捨選擇02/19 06:09

[問題] su8光阻spin coating完烤完放置時間

[ NEMS ]22 留言, 推噓總分: +5

作者: gggg9999 - 發表於 2014/02/16 11:53(10年前)

3^F推SkyLark2001:大部分的SU-8不需要那麼麻煩，網路上可以找到一堆02/19 06:07

4^F→SkyLark2001:簡化的recipe02/19 06:07

14^F推SkyLark2001:顯影過su8的wafer要回收最好的方法就只有 piranha02/28 03:32

[問題] 光阻問題

[ NEMS ]3 留言, 推噓總分: +2

作者: LaDeSin - 發表於 2014/01/20 21:41(10年前)

2^F推SkyLark2001:implantation。半導體製程需要，MEMS製程較少見02/04 23:57

Re: [問題] 硬考時間????

[ NEMS ]21 留言, 推噓總分: +3

作者: SkyLark2001 - 發表於 2013/12/05 17:09(10年前)

4^F→SkyLark2001:通常AZ selectivity在50-60之間，所以你這厚度差不多12/11 07:44

5^F→SkyLark2001:可行，硬烤就真的隨意了，不然你就上網隨便查一個12/11 07:45

6^F→SkyLark2001:recipe吧～看看其他人用AZ進DRIE做TSV的參數12/11 07:46

7^F→SkyLark2001:我自己是做500microns的TSV，AZ厚度是11microns~12/11 07:47

8^F→SkyLark2001:hardake時間忘了，好像100C 20分鐘在Oven裡面吧～12/11 07:48

9^F→SkyLark2001:但我有做Oxygen descum，而且我的11um後來發現厚度不12/11 07:50

10^F→SkyLark2001:夠，大約400多um就被吃完了....selectivity50-60只是12/11 07:50

11^F→SkyLark2001:一般預估，還要根據你的DIRE機台，參數，exposure are12/11 07:51

12^F→SkyLark2001:area等參數全面考量。所以才跟你說這東西根本沒標準12/11 07:52

13^F→SkyLark2001:答案12/11 07:53

17^F→SkyLark2001:原來你除了光阻之外還有oxide?那就更不用擔心12/13 08:15

18^F→SkyLark2001:oxide的selectivity可以到達120, 100nm的oxide就可以12/13 08:16

19^F→SkyLark2001:擋到12um的silicon。另外若你要先進HF就不用descum了12/13 08:17

20^F→SkyLark2001:或是你也可以用RIE來etch oxide, 比較方便但花錢12/13 08:19

[問題] 硬考時間????

[ NEMS ]4 留言, 推噓總分: +2

作者: kevinho0603 - 發表於 2013/12/03 15:27(10年前)

4^F→SkyLark2001:看你DRIE要多久。不一定要比softbake溫度高或久12/05 16:08

[問題] 負光阻的提供

[ NEMS ]9 留言, 推噓總分: +2

作者: popbear - 發表於 2013/11/25 21:50(10年前)

1^F推SkyLark2001:SU8，蠻普遍的，但要搭配Omnicoat才能lift-off12/05 16:06

2^F→SkyLark2001:omnocoat就相對少見了。其實不用omnicoat也可以12/05 16:07

3^F→SkyLark2001:用其他薄光阻代替，但參數要自己試12/05 16:07

4^F推SkyLark2001:若你可以降低厚度的話那就簡單，選AZ P462012/05 16:20

5^F→SkyLark2001:http://tinyurl.com/kpmc96m 裡面有官方參數, 第三頁12/05 16:22

6^F→SkyLark2001:開始就是28um用在金的電鍍上面.其實要更厚也應該辦的12/05 16:24

7^F→SkyLark2001:到。第九頁開始的參數是兩次塗布的參數，雖然厚度是2412/05 16:24

8^F→SkyLark2001:但把轉速調慢，最後總厚度要超過30um是可行，但是其他12/05 16:25

9^F→SkyLark2001:bake, 曝光顯影參數要全部重抓12/05 16:25

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